Организация запоминающих устройств. Исполнитель
- Скачано: 15
- Размер: 106 Kb
Организация запоминающих устройств.
План:
1. Организация запоминающих устройств.
2. Способы дешифрации адреса.
{spoiler=Подробнее}
1. Организация запоминающих устройств.
Для запоминания информации в цифровых схемах используется либо триггер, либо конденсатор. В зависимости от типа запоминающего устройства различают память SIMM и DIMM.
При подключении запоминающего устройства к системной шине нужно организовывать передачу не только слов, но и отдельных файлов. Для реализации этого блоки памяти обычно выполняются в виде 2-х банков. Младший подключают к линиям данных D7-D0 и содержит байты с четными адресами. Для выбора этого банка в микропроцессорной системе используется А0=0. Старший байт D8-D15 – А0=1. При передаче байта данных его нужно переслать в ячейку памяти с четными адресами. В этом случае цикл обмена данными составляет 1 период системной синхронизации. Вид пересылки данных по системной магистрали определяет кроме сигнала А0 еще сигнал BHE. А0 совместно с BHE образуют:
A0 | BHE | Вид посылки |
0 1 |
1 0 |
Мл. байт Ст. байт |
Выработка сигналов А0 и BHE выполняется автоматически под действием управляющей программы. Для упрощения схемы подключения при организации ПЗУ следует учесть тот факт, что при чтении информации из запоминающего устройства на шину данных всегда выставляется 2 байта данных, Селекцию необходимой информации выполняет ЦП и выбирая нужную, помещает ее в свои внутренние регистры. Следовательно сигналы А0 и BHE к ПЗУ можно не подключать. При обращении к ОЗУ для выбора банка данных можно использовать сигналы А0 и BHE. Обращения к ПЗУ стробируется сигналом МЕМR и MEMW.
Схема подключения:
RAS | CAS | W/R | D | Выход В | Режим работы |
1 1 0 0 0 |
1 0 1 0 0 |
0 0 0 0 1 |
0 0 0 0 0 |
3-е состояние
0 или 1 |
Нет обращения
Регенерация микр-мы Запись информации Чтение информации |
Линия А14 используется для выбора блока ОЗУ либо ПЗУ. ПЗУ может быть реализовано на 2-х микросхемах К573РФ4 (4096*16). Следовательно А13 – используется как вход выборки кристаллов каждой микросхемы. ОЗУ – 8 микросхем К537РУ10(2048 *8).
Организация блоков памяти больших объемов.
Большие блоки памяти организуются в виде модулей (печатная плата), которых может быть несколько. Каждый модуль может подключаться к системной либо резидентной шине и имеет следующую внутреннюю организацию:
ДША – предусматривается для каждого блока памяти. Контроллер: К1810ВТ02 (ВТ03). Совместно с микропроцессором используются микросхемы динамической ОЗУ серии К565. Запись информации в микросхемы ОЗУ выполняется в соответствии со следующей диаграммой:
1-й такт – записывается код адреса строки, которая стробируется сигналом RAS, во втором такте записывается код адреса столбца сигналом CAS, а также происходит процедура записи/чтения R/W. Такая двухсторонняя процедура записи информации экономит адресные выходы микросхем ОЗУ. Мультиплексирование адресных линий и двухступенчатая процедура обмена позволила сэкономить количество выводов на микросхемах ОЗУ.
2. Способы дешифрации адреса.
Способ дешифрации адреса зависит от объемов ОЗУ и ПЗУ, количества и типа устройств ввода/вывода. При проектировании микропроцессорной системы используются следующие способы дешифрации адреса:
- линейный выбор. Самый простой способ, не использующий логику дешифрации адреса. Технически реализуется следующим образом: любая линия ША используется как сигнал выборки кристаллов. Пример реализации:
Способ используется при подключении малых объемов памяти. Недостатком является большая потеря области адресного пространства;
2) дешифрация с помощью логического компаратора. Простой и очень гибкий способ дешифрации адреса. В этом случае логический компаратор устанавливается на каждую печатную плату, с помощью перемычек устанавливается адрес каждой печатной платы. При совпадении кода задаваемого перемычками с кодом установленном на соответствующих адресных линиях, формируется сигнал выборки кристаллов. Технически логический компаратор может быть выполнен на схемах совпадения.
3) дешифрация с помощью комбинаторной логики. В этом случае для формирования сигналов выборки кристалла используется логические элементы:
Сигнал выборки кристалла формируется, если А14=1, а А15=0.
Данная схема позволяет оьратиться по адресам 4000 – 7FFF. Недостатком является жесткая логика.
- Дешифрация адреса с помощью дешифратора. В этом случае выбирается одна из 2n возможных комбинационных входных сигналов, где n-количество входов, подключенных к дешифратору.
Микросхема К1810ВТ3 – контроллер управления динамической памятью.
X0,X1- входы для подключения кварцевого резонатора для выработки сигналов регенерации памяти. Либо к X1 можно подключить CLK. AL0-AL7; AH0-AH7 – адрессные входы для выборки ячейки памяти внутри памяти.
WR,RD/S1 – сигналы системной записи/чтения.
B0,B1 – входы дешифратора (выборка банков памяти).
PCS – вход выборки кристалла контроллера.
OUT0-OUT7 – мультиплексированные выходы выбора адрессов строк и столбцов.
WE – сигнал считывания памяти.
CAS – RAS2 – сигналы управления микросхемами динамической памяти.
XACK – ответ памяти на сигналы обращения к ней.
SACK – готовность памяти.
Пример подключения управления динамической памятью объемом 512 Кбайт показан на рисунке:
{/spoilers}